谷歌TPU第一代設(shè)計者Jonathan Ross所創(chuàng)立的Groq公司正式宣布：新一代LPU，在多個公開測試中，以幾乎最低的價格，相比GPU推理速度翻倍。并且后續(xù)有三方測試結(jié)果表明，該芯片對大語言模型推理進行優(yōu)化效果顯著，速度相較于英偉達GPU提高了10倍。而LPU與GPU核心區(qū)別就是LPU內(nèi)存采用了SRAM，而不是HBM。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022-2027年中國SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)行業(yè)市場深度調(diào)研及發(fā)展前景預測報告》顯示,2021年,全球半導體存儲器市場規(guī)模達到1540億美元左右,DRAM與NAND Flash是需求占比最大的兩類產(chǎn)品,合計市場份額占比達到97%。與DRAM相比,SRAM市場規(guī)模極小,2021年,全球SRAM市場規(guī)模約為4億美元，未來SRAM市場有望持續(xù)擴大。

相關(guān)成分股信息：

1）北京君正

入選理由：公司SRAM產(chǎn)品品類豐富，包括不同容量的同步SRAM、異步SRAM、高速Q(mào)DR SRAM等產(chǎn)品。2022年度，公司SRAM產(chǎn)品收入在全球市場中位居第二位

2）成都華微

入選理由：針對非易失可編程邏輯器件架構(gòu)設(shè)計，公司采用“內(nèi)嵌Flash IP+配置SRAM”架構(gòu)，可實現(xiàn)器件上電后自動加載內(nèi)部配置數(shù)據(jù)

3）納思達

入選理由：公司推出采用55nm工藝制程，擁有大容量Flash、SRAM以及豐富片內(nèi)外設(shè)的高性能、高適配型MCU系列新品

4）西測測試

入選理由：公司采用算法圖形和APG技術(shù)實現(xiàn)存儲器地址自動累加、翻頁功能，實現(xiàn)存儲器數(shù)據(jù)的自動寫入、輸出比較，實現(xiàn)了對EEPROM、SRAM、NOR flash、NAND flash、EMMC等存儲芯片讀寫擦除功能的自動測試

5）中電港

入選理由：公司的主營業(yè)務是以電子元器件分銷為核心，存儲器產(chǎn)品的品類包括DRAM、Flash、SRAM等

6）思科瑞

入選理由：公司的靜態(tài)存儲芯片SRAM的測試篩選技術(shù)，采用改進的APG測試圖形自動生成技術(shù)，以及MARCH C算法、地址校驗算法、棋盤型齊步算法等先進算法，實現(xiàn)對隨機SRAM高覆蓋率、高效的測試，應用該技術(shù)測試、篩選的典型存儲器主要應用于機載、車載的雷達、通信等系統(tǒng)

7）廣立微

入選理由：公司2023年上半年優(yōu)化升級并推出了新一代通用型高性能半導體參數(shù)測試設(shè)備（T4000型號），可覆蓋LOGIC、CIS、DRAM、SRAM、FLASH、BCD等所有產(chǎn)品的測試需求

8）恒爍股份

入選理由：公司自2023年下半年進行基于SRAM的數(shù)字存算一體方案的研發(fā)

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