//電報內(nèi)容
【光刻膠領域 我國取得新突破】財聯(lián)社10月25日電,光刻技術是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅動力之一。近日,北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術,首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為,指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案。相關論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。 (科技日報)
//解讀摘要
我國在光刻膠領域取得新突破!在半導體升級、國產(chǎn)化及新興技術三重因素驅動下,2030年我國在全球光刻膠市場規(guī)模占比將提升至30%,這家公司已建成100噸光刻膠產(chǎn)品年產(chǎn)能,另一家相關產(chǎn)品能夠滿足光刻膠的生產(chǎn)工藝要求。