財聯(lián)社1月30日電，隨著硅基芯片性能逼近物理極限，全球科學家正在尋找替代方案，以二硫化鉬為代表的二維半導體就是其中之一。30日，國際頂級學術期刊《科學》在線發(fā)表南京大學王欣然、李濤濤團隊與東南大學王金蘭團隊合作論文，他們創(chuàng)新研發(fā)“氧輔助金屬有機化學氣相沉積技術”，突破了制約大尺寸二硫化鉬薄膜規(guī)?；苽涞募夹g難題。