財聯(lián)社10月9日電，繼今年4月在《自然》提出“破曉”二維閃存原型器件后，復(fù)旦大學(xué)科研團隊又迎來新突破。北京時間10月8日晚，復(fù)旦大學(xué)在《自然》（Nature）上發(fā)文，題目為《全功能二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相關(guān)成果率先實現(xiàn)全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)芯片，攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。面對摩爾定律逼近物理極限的全球性挑戰(zhàn)，具有原子級厚度的二維半導(dǎo)體是目前國際公認的破局關(guān)鍵，科學(xué)家們一直在探索如何將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于集成電路中。當(dāng)前，國際上對二維半導(dǎo)體的研究仍在起步階段，尚未實現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。