財聯(lián)社10月31日電，安森美（onsemi）宣布推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體。據(jù)介紹，對于超高壓器件，安森美的垂直氮化鎵（vGaN）采用GaN-on-GaN技術(shù)，使電流能夠垂直流過芯片，而不是沿表面橫向流動。，這一方案降低能量損耗和熱量，損耗減少近50%。目前安森美向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。