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①當(dāng)?shù)卣詫⑶嗌蛟斐扇毡景雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“北方引擎”為目標(biāo)。
②青森是MJC的生產(chǎn)重地，作為存儲探針卡龍頭，在該細(xì)分領(lǐng)域全球市占率高達(dá)四成。
③青森也是富士電機(jī)津輕半導(dǎo)體的功率半導(dǎo)體重要生產(chǎn)地，其在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)碳化硅零部件。

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2026-01-20 13:04 來自第一財經(jīng)

【格力電器車用碳化硅芯片將量產(chǎn) 董明珠稱未來供廣汽半數(shù)芯片】財聯(lián)社1月20日電，格力電器總裁助理、珠海格力電子元器件有限公司總經(jīng)理馮尹在大灣區(qū)化合物半導(dǎo)體生態(tài)應(yīng)用大會上透露，格力電器碳化硅芯片工廠在量產(chǎn)家電用碳化硅芯片后，今年光伏儲能用、物流車用碳化硅芯片也將量產(chǎn)。格力電器董事長董明珠幾天前接待廣汽集團(tuán)董事長馮興亞時笑言，未來廣汽的汽車芯片中一半由格力產(chǎn)品替代。 (第一財經(jīng))

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2026-01-19 08:50

【盤前題材挖掘】①我國科研團(tuán)隊攻克芯片散熱世界難題，氮化鎵功率器件有望站上風(fēng)口。②AI對存儲的需求推動SSD發(fā)展，高速SSD主控芯片或供應(yīng)吃緊。③“國標(biāo)”工作組成立，服務(wù)機(jī)器人領(lǐng)域迎來重磅催化。

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2026-01-19 07:51 來自財聯(lián)社

我國科研團(tuán)隊攻克芯片散熱世界難題氮化鎵功率器件有望站上風(fēng)口

①西安電子科技大學(xué)郝躍院士張進(jìn)成教授團(tuán)隊通過將材料間的“島狀”連接轉(zhuǎn)化為原子級平整的“薄膜”，使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。
②第一創(chuàng)業(yè)證券郭強(qiáng)指出，考慮AI芯片升級則需要的功耗會更高，因此將帶來功率器件需求的快速增長。

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2026-01-17 21:33

【西電團(tuán)隊攻克芯片散熱世界難題：氮化鎵射頻芯片性能提升30%到40%】財聯(lián)社1月17日電，據(jù)西安電子科技大學(xué)官方消息，近日，郝躍院士張進(jìn)成教授團(tuán)隊的最新研究在這一核心難題上實(shí)現(xiàn)了歷史性跨越——他們通過將材料間的“島狀”連接轉(zhuǎn)化為原子級平整的“薄膜”，使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。這個問題自2014年相關(guān)成核技術(shù)獲得諾貝爾獎以來，一直未能徹底解決，成為制約射頻芯片功率提升的最大瓶頸。工藝的突破直接轉(zhuǎn)化為器件性能的驚人提升?；谶@項創(chuàng)新的氮化鋁薄膜技術(shù)，研究團(tuán)隊制備出的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段分別實(shí)現(xiàn)了42 W/mm和20 W/mm的輸出功率密度。這一數(shù)據(jù)將國際同類器件的性能紀(jì)錄提升了30%到40%，是近二十年來該領(lǐng)域最大的一次突破。這意味著，在芯片面積不變的情況下，裝備探測距離可以顯著增加；對于通信基站而言，則能實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)的信號覆蓋和更低的能耗。更深遠(yuǎn)的影響在于，它為推動5G/6G通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等未來產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，儲備了關(guān)鍵的核心器件能力。

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2026-01-14 08:32

【W(wǎng)olfspeed制造出單晶300mm碳化硅晶圓】財聯(lián)社1月14日電，Wolfspeed, Inc.當(dāng)?shù)貢r間1月13日宣布制造出單晶300mm（12英寸）碳化硅晶圓。該公司的300mm平臺將統(tǒng)一用于功率電子器件的高批量碳化硅制造與用于光學(xué)和射頻系統(tǒng)的高純度半絕緣襯底的先進(jìn)能力。

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2026-01-08 17:11

【廣州：大力發(fā)展碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料制造】財聯(lián)社1月8日電，廣州印發(fā)廣州市加快建設(shè)先進(jìn)制造業(yè)強(qiáng)市規(guī)劃（2024—2035年），大力發(fā)展碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料制造，支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造，加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)，培育壯大化合物半導(dǎo)體IDM（集成器件制造）、寬禁帶半導(dǎo)體材料、電子級多晶硅及硅片企業(yè)。支持開展射頻、傳感器、納米級陶瓷粉體、電力電子等器件研發(fā)轉(zhuǎn)化，推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。

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2026-01-08 17:11

【廣州：加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)】財聯(lián)社1月8日電，廣州市人民政府辦公廳印發(fā)廣州市加快建設(shè)先進(jìn)制造業(yè)強(qiáng)市規(guī)劃（2024—2035年）。規(guī)劃指出，大力發(fā)展碳化硅、氧化鋅、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體材料制造，支持氮化鎵、碳化硅等化合物半導(dǎo)體器件和模塊的研發(fā)制造，加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體、碳基、高密度封裝基板等材料研發(fā)生產(chǎn)，培育壯大化合物半導(dǎo)體IDM（集成器件制造）、寬禁帶半導(dǎo)體材料、電子級多晶硅及硅片企業(yè)。支持開展射頻、傳感器、納米級陶瓷粉體、電力電子等器件研發(fā)轉(zhuǎn)化，推動化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣應(yīng)用。

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2026-01-07 15:10

【商務(wù)部決定對原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅發(fā)起反傾銷立案調(diào)查產(chǎn)品主要用于生產(chǎn)邏輯芯片、存儲芯片等】財聯(lián)社1月7日電，商務(wù)部7日發(fā)布公告稱，對原產(chǎn)于日本的進(jìn)口二氯二氫硅進(jìn)行反傾銷立案調(diào)查，本次調(diào)查確定的傾銷調(diào)查期為2024年7月1日至2025年6月30日，產(chǎn)業(yè)損害調(diào)查期為2022年1月1日至2025年6月30日。本次調(diào)查自2026年1月7日起開始，通常應(yīng)在2027年1月7日前結(jié)束調(diào)查，特殊情況下可延長6個月。

被調(diào)查產(chǎn)品名稱：二氯二氫硅，又稱二氯硅烷、二氯甲硅烷等。主要用途：二氯二氫硅主要用于芯片制造過程中的薄膜沉積（如外延膜、碳化硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜和多晶硅膜等），用于生產(chǎn)邏輯芯片、存儲芯片、模擬芯片和其他類芯片，也可用于合成硅基系列前驅(qū)體和聚硅氮烷等。

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2026-01-07 08:00 來自科創(chuàng)板日報記者吳旭光

二度闖關(guān)科創(chuàng)板、擬募資10.5億元中圖科技成色幾何？

①從收入結(jié)構(gòu)看，報告期內(nèi)公司營收及利潤主要來自PSS、MMS等主營業(yè)務(wù)，其中，PSS是核心收入支柱，2022年至2025年上半年貢獻(xiàn)收入占比均超61%；
②目前，公司PSS平均單價已從2022年的71.26元/片降至2025年6月的52.79元/片，降幅達(dá)25.92%。

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2025-12-27 12:35

【中信證券：氮化鎵器件快速發(fā)展助推機(jī)器人產(chǎn)業(yè)落地】財聯(lián)社12月27日電，中信證券研報表示，氮化鎵（GaN）技術(shù)正成為驅(qū)動下一代機(jī)器人性能革命的關(guān)鍵使能力量。其“高頻、高效、高功率密度”的物理特性能直接解決機(jī)器人關(guān)節(jié)“輕量化、高響應(yīng)、高能效”的三大核心訴求，具體表現(xiàn)為：采用GaN方案的伺服驅(qū)動器可實(shí)現(xiàn)體積縮減約50%、損耗降低50%—70%，從而為機(jī)器人帶來更緊湊的關(guān)節(jié)設(shè)計、更長的續(xù)航時間與更敏捷的運(yùn)動控制。建議關(guān)注國內(nèi)頭部的可以幫助海外特斯拉廠商逐步降本的核心供應(yīng)廠商。

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2025-12-24 11:25

【晶盛機(jī)電12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付】財聯(lián)社12月24日電，晶盛機(jī)電近日在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商瀚天天成。此次研發(fā)的12英寸單片式SiC外延設(shè)備可兼容8、12英寸SiC外延生產(chǎn)，其獨(dú)創(chuàng)的垂直分流進(jìn)氣方案，實(shí)現(xiàn)了晶圓表面溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分區(qū)控制等技術(shù)，同時設(shè)備配備了自動化上/下料模塊及一鍵自動PM輔助功能，大幅提升顆?？刂颇芰途S護(hù)效率。

晶盛機(jī)電-9.29%

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2025-12-19 15:37