《科創(chuàng)板日報》27日訊，據(jù)科技媒體Sakhtafzarmag報道，華碩計劃于2026年第二季度開始進入DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）制造領(lǐng)域，以應(yīng)對全球內(nèi)存短缺。該傳聞迅速被多家國際及中國大陸媒體轉(zhuǎn)載。對于上述情況，記者向華碩中國區(qū)以及華碩總部采訪求證，截至記者發(fā)稿，未獲得回復(fù)。不過，記者注意到，中國臺灣媒體中央社12月26日報道，華碩公司方面已回應(yīng)，澄清并無投入存儲器晶圓廠的計劃。 (中國經(jīng)營報)