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手機、大數(shù)據(jù)、AI 和數(shù)據(jù)中心等新興市場的崛起,為DRAM帶來了巨大的增長空間。根據(jù)IC Insights在今年7月發(fā)布的IC產品市場排名報告顯示,在2019年所有IC產品中,DRAM市場仍將成為最大的類別,其銷售額將達到620億美元。
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2026-02-28 17:05
【國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心:存儲芯片價格持續(xù)上漲并向下游傳導】
財聯(lián)社2月28日電,國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心發(fā)文稱,2025年9月至今,受需求“爆發(fā)式”增長、產能“斷崖式”緊缺等因素影響,全球存儲器市場缺口擴大,存儲芯片價格持續(xù)上漲,近1個月多以來,漲幅呈現(xiàn)擴大態(tài)勢,建議關注存儲芯片對下游價格的影響。調研反映,截至今年1月,存儲芯片兩大主要產品DRAM和NAND閃存價格均創(chuàng)2016年有數(shù)據(jù)以來最高。以主流型號為例,1月DARM(DDR4 8Gb 1G*8)合約平均價格為11.5美元,比上月上漲約24%,比2025年9月上漲約83%;NAND閃存(128Gb 16G*8 MLC)合約平均價格為9.5美元,比上月上漲約65%,比2025年9月上漲近1.5倍。
國家發(fā)改委價格監(jiān)測中心還表示,當前,存儲芯片正處于上漲周期。年內來看,在AI服務器算力需求持續(xù)增長的帶動下,全球存儲芯片市場供不應求局面仍將持續(xù),存儲芯片價格將延續(xù)上漲態(tài)勢。存儲芯片價格上漲正逐步傳導至消費電子終端產品。隨著AI應用滲透率提升,消費者對高端化、智能化的消費電子產品的偏好增強,消費升級趨勢明顯,對內存性能的要求更高。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限,上調終端價格將成為普遍趨勢。目前聯(lián)想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發(fā)布調價函,漲幅普遍在500~1500元之間,小米、vivo等國產新發(fā)售機型相同存儲配置版本價格較上一代上漲300~500元。受存儲芯片價格上漲及對下游的傳導影響,PPI方面,計算機、通信及其他電子設備制造業(yè)分項價格有望止跌企穩(wěn),對PPI的拖累作用有所減弱。CPI方面,疊加提振消費政策效果持續(xù)顯現(xiàn),通訊工具分項價格將繼續(xù)回升。
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2026-02-27 15:49
【韓美半導體推出新型存儲器封裝設備】
《科創(chuàng)板日報》27日訊,韓美半導體宣布,已推出全球首臺“BOC+COB鍵合機”,并將向某國際存儲制造商客戶位于印度古吉拉特邦的工廠供貨。據(jù)悉,“BOC+COB鍵合機”能夠在單個設備中生產BOC(芯片上基板)和COB(板上芯片直裝)工藝。
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2026-02-26 16:30
【NAND閃存持續(xù)缺貨漲價 群聯(lián)要求客戶交預付款】
《科創(chuàng)板日報》26日訊,NAND價格高漲,市場供貨持續(xù)緊缺,NAND閃存芯片控制大廠群聯(lián)日前發(fā)函通知客戶將更新付款條件。該公司表示,NAND近來價格持續(xù)增長,對資金需求影響也明顯提高,為能取得更多穩(wěn)定的貨源,近期將依照個別客戶不同,與客戶討論預付款的條件。
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2026-02-26 15:32 來自 科創(chuàng)板日報 鄭遠方
存儲全面進入賣方市場:三星100%“試探性漲幅”獲蘋果照單全收 原計劃漲幅60%
①蘋果還與三星DS部門舉行緊急會議,商討今年上半年供貨安排,以確保供應穩(wěn)定。
②SK海力士透露,存儲行業(yè)已全面進入賣方市場,目前公司DRAM及NAND庫存僅剩約4周。
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2026-02-26 14:02
【機構:漲價效應帶動2025年第四季度DRAM產業(yè)營收成長達29.4%】
《科創(chuàng)板日報》26日訊,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查顯示,由于AI應用由LLM模型訓練延伸至推理,推動CSPs業(yè)者的數(shù)據(jù)中心建置重心由AI Server延伸至General Server,進一步推動存儲器采購重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各類容量的RDIMM,積極釋出追加訂單,帶動Conventional DRAM的合約價大幅上漲,2025年第四季DRAM產業(yè)營收為535.8億美元,較上季度增加29.4%。
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2026-02-26 13:47
【SK海力士與閃迪公司啟動下一代存儲器“HBF”全球標準化進程】
財聯(lián)社2月26日電,SK海力士2月26日宣布,于當?shù)貢r間25日在美國加利福尼亞州米爾皮塔斯的閃迪公司(SanDisk)總部,與閃迪公司聯(lián)合舉辦“HBF規(guī)格標準化聯(lián)盟啟動會”,正式發(fā)布面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF(High Bandwidth Flash)的全球標準化戰(zhàn)略。
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2026-02-24 17:06
財聯(lián)社2月24日電,美股芯片存儲板塊盤前普漲。閃迪漲2.6%,西部數(shù)據(jù)、希捷科技漲超1%,美光科技漲近1%。
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2026-02-24 07:44 來自 財聯(lián)社
SK海力士DRAM及NAND庫存僅剩約4周 存儲行業(yè)景氣或持續(xù)超預期
①2月20日SK海力士在高盛電話會上釋放強烈信號,目前DRAM及NAND庫存僅剩約4周,存儲行業(yè)已全面進入賣方市場。
②平安證券電子團隊指出,考慮到當前AI持續(xù)高景氣,本輪存儲周期的強度和持續(xù)性有望超過上一輪。
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2026-02-18 17:28
【西部數(shù)據(jù)擬出售部分閃迪股份 籌資31.7億美元用于削減債務】
財聯(lián)社2月18日電,硬盤制造商西部數(shù)據(jù)周三宣布,計劃通過二次配售出售旗下原子公司閃迪的部分股權,籌資31.7億美元,發(fā)行價較上一交易日收盤價折價7.7%。西部數(shù)據(jù)擬將此次出售的580萬股股份,置換給摩根大通、美銀證券旗下關聯(lián)機構所持有的公司債務。這兩家銀行同時擔任此次發(fā)行的主承銷商,將代其關聯(lián)機構出售這批股份。
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2026-02-17 09:40 來自 科創(chuàng)板日報 張真
AI驅動存儲持續(xù)迭代!三星PIM技術量產在即 或繞過CPU、GPU直接計算
①PIM意為處理器集成管理,其將計算單元(ALU)直接置于內存的存儲體級別;
②三星電子正與主要客戶合作開發(fā)LPDDR5X PIM技術,預計將于今年下半年提供樣品;
③SK海力士在“CES 2026”展會上演示了基于PIM架構的AiMX。
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2026-02-13 12:10
【機構:預計HBM4驗證將于2026年第二季度完成】
財聯(lián)社2月13日電,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新HBM產業(yè)研究,隨著AI基礎建設擴張,對應的GPU需求也不斷成長,預期英偉達Rubin平臺量產后,將帶動HBM4需求。目前三大存儲器原廠的HBM4驗證程序已進展至尾聲,預計將在2026年第二季陸續(xù)完成。其中,三星憑借最佳的產品穩(wěn)定性,預期將率先通過驗證,SK海力士、美光隨后跟上,可望形成三大廠供應英偉達HBM4的格局。
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2026-02-12 11:08 來自 TheElec
【退出英偉達HBM4供應名單?美光否認傳聞:已量產出貨】
《科創(chuàng)板日報》12日訊,此前有傳言稱美光可能被排除在英偉達的HBM4供應商名單之外,美光首席財務官馬克·墨菲(Mark Murphy)回應稱:“關于第六代高帶寬內存(HBM4)有一些不準確的報道,但美光已經(jīng)開始量產HBM4?!彼麖娬{,美光已經(jīng)開始向客戶交付HBM4,預計第一季度出貨量將大幅提升。 (TheElec)
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2026-02-12 09:39 來自 科創(chuàng)板日報 張真
存儲黑科技來了!SK海力士發(fā)表HBM、HBF聯(lián)用架構 每瓦性能可提高2.69倍
①SK海力士模擬了HBF處理高達1000萬個令牌的海量鍵值緩存的場景,系統(tǒng)處理并發(fā)查詢的能力提升了高達18.8倍;
②SK海力士計劃最早于今年推出HBF1樣品,該產品預計采用16層NAND閃存堆疊而成。
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2026-02-12 07:44 來自 財聯(lián)社
內存強勁需求料持續(xù)到2027年 機構稱國產存儲加速發(fā)展機遇顯現(xiàn)
①三星電子首席技術官表示,該公司預計,市場對內存芯片的強勁需求不僅將持續(xù)今年全年,而且還將持續(xù)到明年,因為人工智能推動了強勁的需求。
②中銀國際證券表示,AI與數(shù)據(jù)擴張推動存儲進入新周期,供需緊張致價格持續(xù)上漲,HBM等新技術迭代需求旺盛,國產存儲加速發(fā)展機遇顯現(xiàn)。
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2026-02-11 19:55
【美股存儲板塊盤前反彈 閃迪漲超3%】
財聯(lián)社2月11日電,美股存儲板塊盤前反彈。美光科技漲2.9%,閃迪漲3.2%,西部數(shù)據(jù)漲1.9%,希捷科技漲2.2%。
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2026-02-11 11:55
【中芯國際趙海軍:HBM缺貨將持續(xù) 但手機、電腦下行趨勢三季度或反轉】
財聯(lián)社2月11日電,中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在業(yè)績交流會上表示,AI需求在一定時間內“永遠無法滿足”?!艾F(xiàn)在大家算力都不夠,因為對AI有宏大設想,巴不得在一兩年內建成未來十年需要的數(shù)據(jù)中心,至于建起來之后要干嘛還沒完全想清楚?!壁w海軍判斷,在這種情況下,業(yè)界還在重投資存儲技術,HBM缺貨在幾年內應該會持續(xù)。不過,未來制約HBM產能的將不是前端的晶圓生產環(huán)節(jié),而是后端的測試等環(huán)節(jié)。趙海軍預測,接下來存儲器產能會增加,廠商買設備快的能4個月拿到,慢的9個月也能拿到,9個月后就能看到晶圓前端生產產能增加。這些產能不能直接用來做AI數(shù)據(jù)中心所需的HBM,而是會馬上投放到消費類產品上。這時中間通道商手里的囤貨會釋放出來,給到手機、電腦產品,或將在今年第三季度帶來消費類產品包括中低端手機市場的反轉。
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2026-02-11 09:20
【德國默克公司計劃在韓建廠 擬于今年供應尖端NAND材料】
《科創(chuàng)板日報》11日訊,德國默克公司計劃在韓國建立一條用于大規(guī)模生產半導體材料的生產線。其目標是今年開始供應尖端的NAND閃存材料,并有望加強與三星電子、SK海力士等韓國主要存儲器公司的合作。
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2026-02-10 18:34
【印度預計今年啟動4座芯片廠 目標是75%的本地產量】
財聯(lián)社2月10日電,根據(jù)印度半導體代表團的最新消息,預計今年內有四座半導體工廠將啟動商業(yè)運營,此前2025年連續(xù)開始試生產。該國計劃到2029年,通過本土設計和制造滿足國內70%至75%的芯片需求。為實現(xiàn)這一目標,印度將重點強化計算系統(tǒng)、射頻(RF)、網(wǎng)絡安全、電源管理、傳感器和存儲器這六大核心領域的芯片設計能力。
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2026-02-09 20:16 來自 財聯(lián)社 劉蕊
全線新高!Counterpoint:全球存儲芯片Q1環(huán)比飆升90%
①2026年第一季度,全球內存價格環(huán)比飆升了80%至90%,創(chuàng)下前所未有的漲幅紀錄;
③內存芯片盈利能力預計將達到前所未有的水平,DRAM的營業(yè)利潤率在2025年第四季度已達到60%左右。
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2026-02-09 10:38
【韓美半導體:計劃下半年推出用于生產HBM5和HBM6的TC鍵合機】
《科創(chuàng)板日報》9日訊,韓國設備廠商韓美半導體宣布,繼去年推出用于生產第六代高帶寬存儲器(HBM4)的TC鍵合機之后,計劃于今年下半年推出用于生產HBM5和HBM6的“寬型TC鍵合機”。
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