財(cái)聯(lián)社1月17日電，據(jù)西安電子科技大學(xué)官方消息，近日，郝躍院士張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)的最新研究在這一核心難題上實(shí)現(xiàn)了歷史性跨越——他們通過將材料間的“島狀”連接轉(zhuǎn)化為原子級(jí)平整的“薄膜”，使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。這個(gè)問題自2014年相關(guān)成核技術(shù)獲得諾貝爾獎(jiǎng)以來，一直未能徹底解決，成為制約射頻芯片功率提升的最大瓶頸。工藝的突破直接轉(zhuǎn)化為器件性能的驚人提升?；谶@項(xiàng)創(chuàng)新的氮化鋁薄膜技術(shù)，研究團(tuán)隊(duì)制備出的氮化鎵微波功率器件，在X波段和Ka波段分別實(shí)現(xiàn)了42 W/mm和20 W/mm的輸出功率密度。這一數(shù)據(jù)將國際同類器件的性能紀(jì)錄提升了30%到40%，是近二十年來該領(lǐng)域最大的一次突破。這意味著，在芯片面積不變的情況下，裝備探測(cè)距離可以顯著增加；對(duì)于通信基站而言，則能實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)的信號(hào)覆蓋和更低的能耗。更深遠(yuǎn)的影響在于，它為推動(dòng)5G/6G通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)等未來產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，儲(chǔ)備了關(guān)鍵的核心器件能力。