《科創(chuàng)板日報(bào)》19日訊，據(jù)摩根士丹利研究報(bào)告指出，傳統(tǒng)存儲芯片供需缺口正持續(xù)擴(kuò)大，2025年二季度至2026年行業(yè)將迎來新一波超級周期，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND等產(chǎn)品供應(yīng)緊張態(tài)勢加劇，市場暫無悲觀理由。報(bào)告指出，先進(jìn)制程存儲產(chǎn)品（如 DDR5、HBM）產(chǎn)能需求強(qiáng)勁，擠壓了成熟制程產(chǎn)能分配。2026年1月，頭部企業(yè)對DDR4采購態(tài)度積極，受供應(yīng)限制，其一季度價(jià)格漲幅可能達(dá)50%，漲勢將延續(xù)至二季度；而產(chǎn)能向DDR4轉(zhuǎn)移，也導(dǎo)致高密度DDR3嚴(yán)重短缺，帶動相關(guān)供應(yīng)商業(yè)績增長。閃存芯片領(lǐng)域，NOR Flash一季度報(bào)價(jià)預(yù)計(jì)上漲20%-30%，漲價(jià)趨勢或延續(xù)至2026年下半年。