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存儲芯片

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存儲芯片是嵌入式系統(tǒng)芯片的概念在存儲行業(yè)的具體應用，以ASIC技術(shù)和FPGA 技術(shù)兩種方式實現(xiàn)產(chǎn)品化。

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全部內(nèi)容

2026-03-05 12:21

《科創(chuàng)板日報》5日訊，DRAM大廠南亞科表示，本季度存儲價格仍在逐月上漲，預計第二季度報價將出現(xiàn)大幅“躍升” 。

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2026-03-05 12:01 來自財聯(lián)社卞純

存儲還要漲？伊朗戰(zhàn)火威脅關(guān)鍵原材料供應韓國芯片業(yè)憂心忡忡

①韓國執(zhí)政黨議員金永培周四表示，韓國芯片行業(yè)擔心，若伊朗危機長期持續(xù)，將擾亂來自中東的關(guān)鍵材料供應，從而推高芯片價格；
②他還表示，芯片行業(yè)指出，此次危機還可能阻礙科技巨頭在中東建設(shè)AI數(shù)據(jù)中心的計劃，從而抑制強勁的芯片需求。

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2026-03-05 10:06 來自財聯(lián)社瀟湘

內(nèi)存瘋漲之際蘋果露出“獠牙”！一場蓄謀已久的價格戰(zhàn)打響？

①內(nèi)存價格的飆升在今年重創(chuàng)了電子產(chǎn)品市場，然而作為行業(yè)龍頭的蘋果，卻在此時適時展露出了低價“獠牙”；
②不少業(yè)內(nèi)人士表示，蘋果公司對新款設(shè)備定價策略的調(diào)整，表明其正試圖通過極具侵略性的定價，將同行面臨的生存危機轉(zhuǎn)化為自己的市場紅利。

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2026-03-05 09:37

【存儲芯片概念反復走強佰維存儲漲超12%】財聯(lián)社3月5日電，存儲芯片概念反復走強，佰維存儲漲超12%，北京君正、恒爍股份、德明利、兆易創(chuàng)新、大港股份、時空科技、香農(nóng)芯創(chuàng)跟漲。消息面上，三星電子Q1 DRAM價格漲幅從70%上調(diào)至100%。此外，佰維存儲公告稱，預計2026年1-2月實現(xiàn)營業(yè)收入40億元至45億元，同比增長340%至395%。

佰維存儲+8.81%兆易創(chuàng)新+1.34%時空科技-0.13%香農(nóng)芯創(chuàng)-1.54%北京君正+2.50%德明利+1.80%恒爍股份+3.09%大港股份+2.88%

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2026-03-05 08:10

【機構(gòu)：換機需求停歇疊加存儲價格飆漲日本PC出貨量3年來首度陷入萎縮】《科創(chuàng)板日報》5日訊，日本ICT市場調(diào)查咨詢機構(gòu)MM總研(MM Research Institute)公布調(diào)查報告指出，因換機需求停歇，加上存儲價格飆漲導致PC價格上漲，2026年日本PC出貨量預估將大減31.1%至1229萬臺，將為3年來首度陷入萎縮。

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2026-03-04 21:30 來自 ETNEWS

【三星電子Q1 DRAM價格漲幅從70%上調(diào)至100%】《科創(chuàng)板日報》4日訊，據(jù)媒體報道，3月4日，三星電子已于上月與主要客戶完成一季度DRAM供貨價格的最終談判，服務(wù)器、PC及移動端通用DRAM均價較上季度上漲約100%，價格較去年四季度翻倍，部分客戶及產(chǎn)品的漲幅甚至超過100%。該報道援引業(yè)內(nèi)知情人士透露，談判已全面收尾，部分海外客戶已完成付款。這一漲幅較今年1月協(xié)商的70%水平，在短短一個月內(nèi)再度擴大約30個百分點。 (ETNEWS)

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2026-03-04 19:25

【聯(lián)想下發(fā)漲價函部分電腦漲幅超千元】財聯(lián)社3月4日電，2026年初，一場由上游核心元器件驅(qū)動的漲價風暴正席卷整個消費電子市場。國家發(fā)展改革委價格監(jiān)測中心2月28日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，截至2026年1月，全球存儲芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM（內(nèi)存）和NAND閃存價格均創(chuàng)下自2016年有統(tǒng)計數(shù)據(jù)以來的最高值。以主流型號DDR4 8Gb顆粒為例，部分型號的現(xiàn)貨價格更是從2025年低點的3.2美元飆升至15美元，累計漲幅高達369%。在此背景下，記者從知情人士處獨家獲悉，“聯(lián)想已向其渠道商發(fā)布價格調(diào)整函，決定對旗下部分電腦產(chǎn)品進行價格上調(diào)?！睋?jù)前述人士透露，此次漲價的信號其實在線上渠道早已顯現(xiàn)?！熬€上從3月份前就已經(jīng)開始調(diào)整了，要么是商品標價直接上調(diào)，要么是此前的優(yōu)惠活動撤了?！彼硎?，本次下發(fā)的調(diào)價函主要針對部分線下門店體系，“我們已經(jīng)收到了新的價格表。對比去年，部分電腦型號的終端零售價漲幅最高超過了1000元。”不過他補充道，針對學生的購機補貼政策仍在執(zhí)行，因此學生群體的購機價格目前暫未受到此次漲價潮的波及。（藍鯨新聞記者翟智超）

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2026-03-04 09:37 來自科創(chuàng)板日報張真

HBM競賽白熱化！SK海力士探索封裝新方案或滿足英偉達峰值性能目標

①目前該項技術(shù)正處于驗證階段，近期其內(nèi)部測試已取得積極成果；
②為增強HBM穩(wěn)定性，SK海力士計劃增加部分上層DRAM芯片的厚度；
③封裝新方案旨在不大幅改變現(xiàn)有工藝流程的前提下，縮小DRAM間距并保持穩(wěn)定的良率。

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2026-03-04 09:31

【存儲芯片概念反彈佰維存儲觸及20cm漲?！?/strong>財聯(lián)社3月4日電，早盤存儲芯片概念反彈，佰維存儲觸及20cm漲停，江波龍、德明利、朗科科技、恒爍股份、普冉股份漲幅靠前。消息面上，佰維存儲預告，1-2月凈利潤同比大增921.77%-1086.13%。

江波龍-1.88%德明利+1.80%佰維存儲+8.81%普冉股份+2.26%朗科科技+4.46%恒爍股份+3.09%

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2026-03-04 08:44 來自科創(chuàng)板日報記者李佳怡黃心怡

內(nèi)存漲價下手機將迎漲價潮？記者一線調(diào)查來了
①一邊是內(nèi)存芯片連續(xù)多季度漲價，一邊是產(chǎn)品尚未全面落地的終端調(diào)價，正在悄然已引發(fā)消費者心理博弈，有人提前搶跑，有人持幣觀望。
②IDC預測，內(nèi)存漲價將重塑2026年電子市場格局：PC與手機銷量下滑，均價上漲。結(jié)構(gòu)性矛盾持續(xù)，行業(yè)變局在即。
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2026-03-04 08:29 來自 ZDnet

【SK海力士推進全新HBM封裝技術(shù) 或縮小DRAM層間距】《科創(chuàng)板日報》4日訊，SK海力士正在推進一項旨在提升HBM4穩(wěn)定性和性能的封裝技術(shù)革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和縮小DRAM層間距，目前該技術(shù)正在驗證階段。若其成功商業(yè)化，將有效縮小HBM4及未來產(chǎn)品在DRAM性能上的差距。 (ZDnet)

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2026-03-03 18:55

財聯(lián)社3月3日電，閃迪美股盤前跌幅擴大至8%，美光科技跌幅擴大至6.5%。

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2026-03-03 17:07

【美股芯片存儲板塊盤前大跌閃迪、美光科技跌超5%】財聯(lián)社3月3日電，美股芯片存儲板塊盤前大跌。閃迪、美光科技跌超5%，西部數(shù)據(jù)下跌4.5%，希捷科技跌近4%。

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2026-03-03 15:45

財聯(lián)社3月3日電，存儲芯片制造商華邦電1月凈利潤同比增長562.3%。

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2026-03-03 08:45 來自韓國經(jīng)濟日報

【三星引入全新供電架構(gòu)以降低HBM缺陷率】《科創(chuàng)板日報》3日訊，設(shè)計高效且結(jié)構(gòu)良好的電源分配網(wǎng)絡(luò)正成為HBM行業(yè)面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，三星預計將于今年開始量產(chǎn)HBM4E，并引入一種全新的供電架構(gòu)——PDN分段技術(shù)。據(jù)悉，采用新的供電網(wǎng)絡(luò)后，HBM4E的金屬電路缺陷相比HBM4減少了97%，IR壓降降低了41%。更低的IR壓降擴大了電壓裕度，從而提高了運行速度并增強了芯片的整體可靠性。 (韓國經(jīng)濟日報)

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2026-03-02 23:40

財聯(lián)社3月2日電，美股存儲概念持續(xù)走低，希捷科技跌近7%，閃迪、西部數(shù)據(jù)跌超5%，美光科技跌近3%。

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2026-03-02 14:53

【摩根士丹利將英偉達列為半導體板塊首選取代美光科技】財聯(lián)社3月2日電，摩根士丹利已將英偉達重新列為其半導體板塊的首選股票，取代美光科技。此前，存儲芯片制造商美光的股價經(jīng)歷了一輪大幅上漲?！笆袌錾弦环N普遍的看法是，存儲芯片股票的定價，反映的是一個比處理器芯片更長、也更具持續(xù)性的周期，分析師Joseph Moore等人在一份報告中寫道，“但我們在一定程度上并不認同這種觀點?！笔袌鰧τミ_增長持續(xù)性的擔憂，在未來幾個月內(nèi)，應該會為對其2027年前景的樂觀情緒所取代。

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2026-03-02 12:04 來自上證報

【思特威發(fā)出漲價函：3月1日起對智慧安防和AIOT產(chǎn)品漲價10%至20%】財聯(lián)社3月2日電，記者獲悉，CMOS圖像傳感器公司思特威已經(jīng)于2月26日向客戶發(fā)出漲價函，宣布自3月1日起，對在三星晶圓廠生產(chǎn)的智慧安防和AIOT產(chǎn)品在原有價格基礎(chǔ)上統(tǒng)一上調(diào)20%；對在晶合集成晶圓廠生產(chǎn)的智慧安防和AIOT產(chǎn)品在原有價格基礎(chǔ)上統(tǒng)一上調(diào)10%。對于漲價原因，思特威表示，近期全球存儲芯片嚴重短缺引發(fā)供應鏈失衡，公司承受上游晶圓廠的成本壓力。為保障能夠持續(xù)為客戶提供穩(wěn)定、高品質(zhì)的產(chǎn)品及服務(wù)，經(jīng)公司審慎評估，做出漲價決定。 (上證報)

思特威-W-0.83%

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2026-03-01 12:16

【韓國2月份半導體出口額同比增長160.8% 刷新歷史紀錄】《科創(chuàng)板日報》1日訊，最新數(shù)據(jù)顯示，韓國2月份出口額比去年同期增長29%，達到674.5億美元，創(chuàng)下2月份歷史新高。其中，半導體出口額同比增長160.8%，達到251.6億美元，繼續(xù)創(chuàng)下有史以來最高的月度業(yè)績，并連續(xù)三個月超過200億美元，主要得益于人工智能投資擴大帶來的過剩需求以及由此導致的存儲器價格飆升。

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2026-03-01 09:28 來自科創(chuàng)板日報張真

HBM份額爭奪戰(zhàn)打響！三星率先亮出底牌或增大DRAM尺寸
①芯片尺寸的擴大能保證TSV（硅通孔）工藝的穩(wěn)定性，同時便于散熱；
②三星電子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技術(shù)，目前良率約60%；
③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了與HBM3E相同的1b DRAM芯片。
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