財(cái)聯(lián)社2月12日訊（編輯 卞純）周四，在存儲(chǔ)芯片股的引領(lǐng)下，韓國股市再創(chuàng)歷史新高。

韓國基準(zhǔn)股指KOSPI指數(shù)周四高開高走，截至發(fā)稿漲幅已經(jīng)擴(kuò)大至2.7%，觸及5499.79點(diǎn)的歷史高點(diǎn)。

其中，存儲(chǔ)芯片巨頭領(lǐng)漲。三星電子股價(jià)漲至記錄高位，目前漲幅已擴(kuò)大至近6%；而SK海力士目前漲近4%。

消息面上，韓國海關(guān)周三公布的數(shù)據(jù)顯示，2月前10天，韓國半導(dǎo)體出口額達(dá)到67.3億美元，同比飆漲137.6%。

同日，三星電子首席技術(shù)官Song Jai-hyuk表示，內(nèi)存強(qiáng)勁需求料持續(xù)到2027年。他還重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)，三星公司的HBM4芯片顯示出“良好的”制造良率，客戶對(duì)其性能表示非常滿意。

市場普遍預(yù)期，三星電子將在下周農(nóng)歷新年假期后開始向英偉達(dá)發(fā)貨HBM4產(chǎn)品。

而此前一天，有消息稱，韓國SK集團(tuán)會(huì)長崔泰源近期在美國與英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛會(huì)面。雙方就高帶寬內(nèi)存（HBM）供應(yīng)以及更廣泛的人工智能（AI）業(yè)務(wù)合作事宜進(jìn)行了商討。

今年以來，Kospi指數(shù)已累計(jì)上漲近30%，背后驅(qū)動(dòng)因素包括AI驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體超級(jí)周期以及政策改革重塑市場信心等。

韓國存儲(chǔ)芯片股追隨了隔夜美股存儲(chǔ)芯片板塊的走勢。周三，美股存儲(chǔ)概念板塊大漲，閃迪漲10.65%，美光科技漲9.94%，西部數(shù)據(jù)漲逾2%，希捷科技漲近3%。

上周，半導(dǎo)體行業(yè)研究機(jī)構(gòu)SemiAnalysis發(fā)布報(bào)告預(yù)計(jì)，英偉達(dá)Vera Rubin首年量產(chǎn)將主要采用韓國公司的HBM4，美光產(chǎn)品或被排除在外。

美光首席財(cái)務(wù)官 Mark Murphy 在周三舉行的一場會(huì)議上澄清稱，其HBM4已進(jìn)入量產(chǎn)，整體進(jìn)度好于此前預(yù)期，并開始供貨給客戶。

摩根士丹利周三將美光科技目標(biāo)價(jià)從350美元上調(diào)至450美元，同時(shí)維持對(duì)該股的"增持"評(píng)級(jí)，并預(yù)計(jì)2026年每股收益將達(dá)52美元。

大摩將其更為樂觀的展望歸因于持續(xù)上漲的DRAM價(jià)格和供應(yīng)短缺。該行指出，今年DDR5價(jià)格大幅上漲，現(xiàn)貨價(jià)格較1月合約價(jià)格高出約130%。該行預(yù)計(jì)，由于2026年供應(yīng)增長仍將受到限制，主流DRAM價(jià)格將進(jìn)一步上漲。

此外，德意志銀行周二將美光的目標(biāo)價(jià)從300美元上調(diào)至500美元，理由是存儲(chǔ)板塊供需動(dòng)態(tài)有利。

德銀分析師Melissa Weathers稱，她預(yù)計(jì)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的供應(yīng)緊張局面將持續(xù)至2027年乃至2028年——尤其是AI熱潮推動(dòng)了市場對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求激增。

Weathers還指出，與傳統(tǒng)DRAM相比，HBM的“硅密集度”大約高出三倍，這意味著它需要更多用于切割芯片的晶圓。她表示，這種高密集度“正引發(fā)一場我們認(rèn)為尚未被充分理解的供應(yīng)沖擊”。

與此同時(shí)，Weathers稱，新的DRAM晶圓廠至少需要兩年時(shí)間才能投產(chǎn)，而現(xiàn)有工廠目前的擴(kuò)張能力有限，無法緩解需求壓力。