截至午間收盤(pán)，中證云計(jì)算與大數(shù)據(jù)主題指數(shù)下跌2.2%，中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)下跌3.0%，中證芯片產(chǎn)業(yè)指數(shù)下跌3.5%，資金逆勢(shì)加倉(cāng)，半導(dǎo)體設(shè)備ETF易方達(dá)（159558）半日凈申購(gòu)達(dá)3600萬(wàn)份。
國(guó)金證券認(rèn)為，半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的基石，存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)與自主可控共振，國(guó)產(chǎn)化空間廣闊。存儲(chǔ)芯片架構(gòu)從2D向3D深層次變革，隨著3D DRAM技術(shù)引入以及NAND堆疊層數(shù)向5xx層及以上演進(jìn)，制造工藝中對(duì)高深寬比刻蝕及先進(jìn)薄膜沉積的要求呈指數(shù)級(jí)提升，相關(guān)設(shè)備廠商將深度受益于工藝復(fù)雜度提升帶來(lái)的紅利。