①氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料。若把硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊中,替代傳統(tǒng)電源模塊芯片使用的硅材料,可實(shí)現(xiàn)用電損耗降低30%。 ②華創(chuàng)證券表示,傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限,高效能需求驅(qū)動氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長。
100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”,裝入一座容量1吉瓦(10億瓦)的超大型AI算力中心機(jī)柜里,一年可省近3億度電,約合2.4億元電費(fèi)。這是九峰山實(shí)驗(yàn)室新發(fā)布的科技成果——氮化鎵電源模塊。團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人李思超博士說,該成果目前已完成概念驗(yàn)證,即將開始中試驗(yàn)證,預(yù)計(jì)3-5年內(nèi)量產(chǎn),屆時(shí)可滿足千億級市場需求。
氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料。若把硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊中,替代傳統(tǒng)電源模塊芯片使用的硅材料,可實(shí)現(xiàn)用電損耗降低30%,還能使模塊體積縮小30%,成本也降至硅的一半。華創(chuàng)證券表示,傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限,高效能需求驅(qū)動氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長。
據(jù)財(cái)聯(lián)社主題庫顯示,相關(guān)上市公司中:
海特高新參股公司華芯科技已建成由國家發(fā)改委立項(xiàng)建設(shè)的國內(nèi)首條6吋化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線,芯片制程涵蓋砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等第二、三代化合物半導(dǎo)體。
欣銳科技在第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)方向已積累了深厚的開發(fā)經(jīng)驗(yàn),全面將碳化硅(SiC)模組應(yīng)用于車載電源產(chǎn)品。
