財(cái)聯(lián)社12月24日電，晶盛機(jī)電近日在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域取得重大突破，12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備順利交付全球頭部SiC外延晶片生產(chǎn)商瀚天天成。此次研發(fā)的12英寸單片式SiC外延設(shè)備可兼容8、12英寸SiC外延生產(chǎn)，其獨(dú)創(chuàng)的垂直分流進(jìn)氣方案，實(shí)現(xiàn)了晶圓表面溫度高精度閉環(huán)控制、工藝氣體精確分區(qū)控制等技術(shù)，同時(shí)設(shè)備配備了自動(dòng)化上/下料模塊及一鍵自動(dòng)PM輔助功能，大幅提升顆?？刂颇芰途S護(hù)效率。