《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》12日訊，SK海力士近日通過(guò)發(fā)表在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會(huì)）全球半導(dǎo)體大會(huì)上的論文，提出了一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)采用了HBM和HBF兩種技術(shù)，公司將8個(gè)HBM3E和8個(gè)HBF置于英偉達(dá)Blackwell旁進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明，與單獨(dú)使用HBM相比，這種配置可以將每瓦計(jì)算性能提升高達(dá)2.69倍。 (韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào))