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HBM

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HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內存芯片，由多層dram堆疊

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2025-12-19 08:30

【盤前題材挖掘】①美光上修第二財季營收展望超40億美元，HBM需求持續(xù)高景氣。②特朗普旗下企業(yè)擬并購核聚變初創(chuàng)公司，核聚變行業(yè)商業(yè)化顯著加速。③螞蟻阿福下載量猛增引爆市場，AI醫(yī)療領域有望迎需求爆發(fā)。

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2025-12-19 08:06 來自財聯(lián)社

美光上修第二財季營收展望超40億美元 HBM需求持續(xù)高景氣

①美光財報顯示內存芯片需求強勁，緩解了投資者對數據中心建設可能放緩的擔憂。
②民生證券指出，國產HBM量產勢在必行，當前國產HBM或處于發(fā)展早期，上游設備材料或迎來擴產機遇。

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2025-12-18 14:36

【機構：DDR5高獲利放大產能排擠效應 2026年HBM3e定價動能同步轉強】財聯(lián)社12月18日電，根據TrendForce集邦咨詢最新調查，近期因存儲器市況呈現(xiàn)供不應求，帶動一般型DRAM(Conventional DRAM)價格急速攀升，盡管HBM3e受惠于GPU、ASIC訂單同步上修，價格也隨之走揚，但是預期未來一年HBM3e和DDR5的平均銷售價格(ASP)差距仍將明顯收斂。

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2025-12-18 12:04

【中科曙光發(fā)布scaleX萬卡超集群】《科創(chuàng)板日報》18日訊，在今日舉行的光合組織2025人工智能創(chuàng)新大會上，中科曙光發(fā)布scaleX萬卡超集群。據悉，1個萬卡超集群系統(tǒng)由多個scaleX640超節(jié)點組成，scaleX萬卡超集群總算力?5EFlops ，HBM總容量>650TB，主要面向面向萬億參數大模型&科學智能場景。(記者陳俊清)

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2025-12-18 11:47

【美光CEO：全球HBM潛在市場有望在2028年達到千億美元】財聯(lián)社12月18日電，美東時間周三盤后，美光公布的財報顯示HBM市場需求爆棚，公司CEO桑賈伊·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）在業(yè)績電話會上表示，預計到2028年，全球HBM總潛在市場（TAM）的復合年增長率（CAGR）約為40%，將從2025年的約350億美元增長至2028年的約1000億美元。這一里程碑預期將比此前展望提前兩年實現(xiàn)。

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2025-12-16 10:19 來自 SeDaily

【SK海力士、三星向英偉達交付付費版HBM4樣品】《科創(chuàng)板日報》16日訊，三星電子和SK海力士已開始向英偉達交付其第六代高帶寬內存（HBM4），兩家公司均已進入談判的最后階段，并以付費方式提供HBM4的最終樣品，這些樣品將安裝在英偉達的下一代人工智能加速器Rubin中。目前最后一個障礙是質量認證，業(yè)內預計產量和價格將在2026年第一季度最終確定。 (SeDaily)

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2025-12-15 08:31 來自 TheElec

【SK海力士向ASMPT訂購熱壓鍵合機以生產HBM4】《科創(chuàng)板日報》15日訊，SK海力士已向新加坡ASMPT公司訂購了一批新的熱壓鍵合機（TCB），以支持HBM4的生產。據悉，SK海力士上個月向ASMPT訂購了7套TC鍵合系統(tǒng)，每套系統(tǒng)配備兩個鍵合頭。每套系統(tǒng)單價約為40億韓元，合同總金額估計約為300億韓元。 (TheElec)

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2025-12-08 18:45 來自 ZDNET Korea

【SK海力士推遲HBM4量產計劃擬大幅增加HBM3E產量】《科創(chuàng)板日報》8日訊，SK海力士HBM4的量產已推遲至明年3月或4月，HBM4產能大幅擴張的時間也進行了靈活調整。公司現(xiàn)在決定至少在明年上半年之前，保持HBM3E在所有HBM產品中最高的產量占比。據悉，SK海力士在與英偉達討論明年HBM的產量時，大幅增加了HBM3E的產量。 (ZDNET Korea)

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2025-12-02 22:20

【三星完成第六代HBM4芯片開發(fā) 向英偉達送樣待量產批示】財聯(lián)社12月2日電，三星電子已完成其第六代高帶寬內存(HBM4)芯片的開發(fā)，并正進入量產準備階段。這家韓國科技巨頭目前正向英偉達發(fā)送HBM4原型樣品進行質量測試。三星的目標是在年底前完成HBM4的開發(fā)，一旦通過英偉達的質量測試，便可能立即開始量產。據悉，三星也正在建立即時量產的系統(tǒng)。

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2025-12-02 15:44 來自 DealSite

《科創(chuàng)板日報》2日訊，三星電子考慮將支撐其HBM3E內存供應的1a nm DRAM產能削減30~40%，通過制程轉換提升適用于通用內存產品的1b nm產能，以實現(xiàn)利潤的最大化。 (DealSite)

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2025-12-01 20:41

【美光廣島DRAM工廠擴建2026年5月啟動目標2028年出貨】《科創(chuàng)板日報》1日訊，美光擴建日本廣島縣東廣島市DRAM工廠的施工將于2026年5月啟動，目標2028年實現(xiàn)HBM內存出貨。美光將斥資1.5萬億日元對廣島工廠進行擴建，將擴增生產設備、建構月產4萬片最先進產品的產能，且將在2028年6-8月開始出貨，2030年3-5月以最大產能進行生產。

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2025-12-01 09:09 來自科創(chuàng)板日報張真

存儲大廠打入“谷歌鏈”！SK海力士借機鞏固HBM龍頭地位

①SK海力士或成為谷歌第七代TPU內部HBM3E 8層芯片的首選供應商；
②KB證券認為，谷歌TPU或增加三星電子尖端晶圓代工廠的內存供應量；
③韓國投資證券分析師預測，SK海力士將占谷歌TPU中HBM供應量的56.6%，三星電子將占43.4%。

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2025-11-28 15:27 來自 TheElec

【HBM9或于2040年問世性能有望達到HBM4的60倍】《科創(chuàng)板日報》28日訊，韓國納米制造中心(NNFC)的首席研究員楊俊模(Yang Jun-mo)預測，HBM9預計將于2040年左右問世，其性能將比第六代HBM4高出60倍以上。下一代存儲器預計將采用超過32層堆疊結構，帶寬最高可達每秒128太字節(jié)(TB/s)。 (TheElec)

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2025-11-28 10:42 來自 BusinessKorea

【三星HBM研發(fā)團隊解散并入DRAM回歸常態(tài)化運營】《科創(chuàng)板日報》28日訊，三星電子宣布重大組織架構調整，正式解散成立僅一年的HBM（高帶寬內存）特別開發(fā)團隊，并將相關人員與業(yè)務并入DRAM開發(fā)部門下的設計團隊。 (BusinessKorea )

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2025-11-26 14:44

【機構：2025年第三季度DRAM產業(yè)營收季增30.9%達414億美元】財聯(lián)社11月26日電，根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第三季由于一般型DRAM(conventional DRAM)合約價上漲、出貨量季增，且HBM出貨規(guī)模擴張，推升DRAM產業(yè)營收較前一季成長30.9%，達414億美元。展望第四季，隨著原廠庫存普遍見底，出貨位元季增幅將明顯收斂。價格部分，由于云端服務供應商(CSP)對采購價格態(tài)度較開放，其他應用需跟進價格漲幅，以確保原廠的供應量，預期將導致先進及成熟制程、各主要應用的合約價快速攀升，預估第四季最終conventional DRAM合約價將季增45-50%，conventional DRAM及HBM合并的整體合約價亦將上漲50-55%。

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2025-11-24 10:25

【分析師：DRAM價格上漲將推動三星業(yè)績強勁增長】《科創(chuàng)板日報》24日訊，Kiwoom證券分析師Pak Yu-ak在研報中指出，由于DRAM芯片價格高于預期，預計三星電子第四季度業(yè)績將超過市場預期。作為全球最大的存儲芯片制造商，預計三星第四季度營業(yè)利潤將達到17.6萬億韓元，比第三季度增長44%，高于市場普遍預測。Pak Yu-ak表示，個人電腦、手機和數據服務器所用DRAM芯片的固定價格正以快于預期的速度上漲。Kiwoom預計，三星2026年的營業(yè)利潤將達到100萬億韓元，理由是公司在HBM4市場的預期增長以及通用型DRAM芯片價格的提升。

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2025-11-22 10:38

【中科飛測首臺晶圓平坦度測量設備出貨HBM客戶端】財聯(lián)社11月22日電，據中科飛測消息，近日，中科飛測首臺晶圓平坦度測量設備——GINKGOIFM-P300出貨HBM客戶端。GINKGOIFM-P300的成功推出，標志著我國在該領域實現(xiàn)了重大突破，打破了國外廠商的長期壟斷，突破國內設備對超高翹曲晶圓、低反射率晶圓的量測限制，同時支持鍵合后晶圓、化合物半導體襯底（SiC/GaAs）的全參數檢測。

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2025-11-19 20:27 來自 DealSite

【消息稱三星調整存儲業(yè)務戰(zhàn)略：聚焦DRAM盈利暫緩HBM擴張】《科創(chuàng)板日報》19日訊，為提升盈利能力，三星電子正對存儲業(yè)務實施新戰(zhàn)略，在DRAM價格持續(xù)上漲的背景下，優(yōu)先擴大通用型DRAM產能，同時暫緩高帶寬存儲器（HBM）相關投入。未來數年，公司可能會擴大通用型DRAM的生產，以提高盈利能力。 (DealSite)

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2025-11-18 20:29

【小米盧偉冰：已簽2026年內存供應協(xié)議可能通過漲價應對成本上升】《科創(chuàng)板日報》18日訊，在今日舉行的小米三季度業(yè)績媒體電話會上，小米集團合伙人、總裁盧偉冰就存儲成本攀升問題作出回應。他指出，當前內存價格上漲是長周期行為，主要驅動力來自AI帶來的HBM需求激增，而非傳統(tǒng)的手機、筆記本行業(yè)周期波動。面對這一行業(yè)趨勢，盧偉冰透露小米已提前布局，與合作伙伴簽訂了2026年全年供應協(xié)議，確保全年供應不受影響，并表示未來可能通過漲價和產品結構升級來平滑成本壓力。

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2025-11-13 15:23 來自 ChosunBiz

【三星電子、SK海力士目標在2026年上半年完成HBM4E的研發(fā)】《科創(chuàng)板日報》13日訊，三星電子和SK海力士已設定目標，力爭在2026年上半年完成HBM4E的研發(fā)。據悉，HBM4E將應用于全球科技巨頭的新型人工智能加速器中，包括英偉達Rubin平臺的頂級版本R300。搭載HBM4E的AI加速器預計將于2027年發(fā)布，因此雙方正在加速研發(fā)，爭取在明年下半年完成質量驗證。 (ChosunBiz)

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