国精产品一区二区三区有限|久热香蕉在线视频资源福利站|91岛国在线观看永久|aa片免费看一级片片AV|无码三级在线观看入口|亚洲第一色站妻免费毛A片|日韩免费Av特级无码毛片|天堂av2024|成人免费A级黄色片|91精产国品一二三产免费

<code id="22oeq"></code>

<table id="22oeq"><dl id="22oeq"></dl></table><small id="22oeq"><rt id="22oeq"></rt></small><abbr id="22oeq"></abbr>

<small id="22oeq"><rt id="22oeq"></rt></small>

<nav id="s46i4"><samp id="s46i4"></samp></nav>

<code id="s46i4"></code>

關(guān)于我們網(wǎng)站聲明聯(lián)系方式用戶反饋網(wǎng)站地圖幫助

首頁(yè)

電報(bào)

話題

盯盤

VIP

FM

投研

下載

我的關(guān)注

HBM

1.08W關(guān)注

HBM是一種基于3D堆疊工藝的dram內(nèi)存芯片，由多層dram堆疊

+ 關(guān)注

全部?jī)?nèi)容

2026-03-03 08:45 來自韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

【三星引入全新供電架構(gòu)以降低HBM缺陷率】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》3日訊，設(shè)計(jì)高效且結(jié)構(gòu)良好的電源分配網(wǎng)絡(luò)正成為HBM行業(yè)面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一，三星預(yù)計(jì)將于今年開始量產(chǎn)HBM4E，并引入一種全新的供電架構(gòu)——PDN分段技術(shù)。據(jù)悉，采用新的供電網(wǎng)絡(luò)后，HBM4E的金屬電路缺陷相比HBM4減少了97%，IR壓降降低了41%。更低的IR壓降擴(kuò)大了電壓裕度，從而提高了運(yùn)行速度并增強(qiáng)了芯片的整體可靠性。 (韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào))

收藏

閱236.36W

評(píng)論(0)

2026-03-01 11:48

【博通推出3.5D定制化封裝平臺(tái)】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》1日訊，博通推出業(yè)界首個(gè)3.5D XDSiP定制化封裝平臺(tái)，并已開始首次批量生產(chǎn)出貨。其首位客戶為富士通公司，該平臺(tái)通過混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)信號(hào)密度提升7倍且功耗降至十分之一，單臺(tái)設(shè)備可搭載6至12顆HBM4。

收藏

閱301.75W

評(píng)論(0)

2026-03-01 09:28 來自科創(chuàng)板日?qǐng)?bào) 張真

HBM份額爭(zhēng)奪戰(zhàn)打響！三星率先亮出底牌或增大DRAM尺寸

①芯片尺寸的擴(kuò)大能保證TSV（硅通孔）工藝的穩(wěn)定性，同時(shí)便于散熱；
②三星電子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技術(shù)，目前良率約60%；
③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了與HBM3E相同的1b DRAM芯片。

收藏

閱82.01W

評(píng)論(7)

2026-02-27 15:02 來自 ZDNet

【三星電子擬增大DRAM尺寸以提升HBM4性能】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》27日訊，三星電子正集中精力提高1c DRAM的良率，同時(shí)搶占HBM4市場(chǎng)份額。具體而言，三星電子決定增大其第六代10nm級(jí)DRAM芯片的尺寸，從而同時(shí)提升DRAM和HBM4的穩(wěn)定性。 (ZDNet)

收藏

閱279.93W

評(píng)論(2)

2026-02-26 14:02

【機(jī)構(gòu)：漲價(jià)效應(yīng)帶動(dòng)2025年第四季度DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收成長(zhǎng)達(dá)29.4%】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》26日訊，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于AI應(yīng)用由LLM模型訓(xùn)練延伸至推理，推動(dòng)CSPs業(yè)者的數(shù)據(jù)中心建置重心由AI Server延伸至General Server，進(jìn)一步推動(dòng)存儲(chǔ)器采購(gòu)重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各類容量的RDIMM，積極釋出追加訂單，帶動(dòng)Conventional DRAM的合約價(jià)大幅上漲，2025年第四季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收為535.8億美元，較上季度增加29.4%。

收藏

閱273.06W

評(píng)論(1)

2026-02-25 09:53 來自 ET News

【消息稱三星電子1c DRAM良率超80% HBM4良率接近60%】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》25日訊，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子內(nèi)部已實(shí)現(xiàn)1c DRAM 80%的良率，這是在高溫環(huán)境下（熱測(cè)試）取得的最高良率，2025年第四季度其良率約為60-70%，如今已顯著提升，并有望在5月份左右達(dá)到90%。業(yè)內(nèi)人士進(jìn)一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度約為50%。 (ET News)

收藏

閱261.53W

評(píng)論(2)

2026-02-21 18:20

【SK海力士高盛電話會(huì)：所有客戶需求都無法滿足今年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲】財(cái)聯(lián)社2月21日電，在2月20日舉行的虛擬投資者會(huì)議上，SK海力士向高盛透露了存儲(chǔ)市場(chǎng)的最新動(dòng)態(tài)。SK海力士在高盛電話會(huì)上釋放強(qiáng)烈信號(hào)：存儲(chǔ)行業(yè)已全面進(jìn)入賣方市場(chǎng)。受AI真實(shí)需求驅(qū)動(dòng)及潔凈室空間受限影響，今年存儲(chǔ)價(jià)格將持續(xù)上漲。公司透露目前DRAM及NAND庫(kù)存僅剩約4周，且沒有任何客戶能完全滿足需求。隨著2026年HBM產(chǎn)能售罄，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的極度短缺正顯著提升供應(yīng)商議價(jià)權(quán)，產(chǎn)業(yè)鏈已開啟長(zhǎng)期合約談判以鎖定未來供應(yīng)。在AI需求爆發(fā)與供應(yīng)瓶頸的共振下，存儲(chǔ)芯片正全面進(jìn)入“賣方市場(chǎng)”，海力士明確表示今年所有客戶的需求都無法得到完全滿足，價(jià)格上漲已成定局。

收藏

閱327.52W

評(píng)論(16)

2026-02-19 07:12

財(cái)聯(lián)社2月19日電，三星據(jù)稱正就HBM4組件的價(jià)格進(jìn)行談判，預(yù)計(jì)價(jià)格約為700美元。

收藏

閱336.73W

評(píng)論(0)

2026-02-13 17:21 來自 ChosunBiz

【為HBM5、HBM6鋪路韓美半導(dǎo)體推出新型寬幅熱壓鍵合設(shè)備】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》13日訊，韓美半導(dǎo)體推出新型寬幅熱壓鍵合設(shè)備。據(jù)報(bào)道，韓美半導(dǎo)體發(fā)布的新型寬幅熱壓鍵合設(shè)備主要是為下一代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM5、HBM6打造。這項(xiàng)技術(shù)相比傳統(tǒng)的高堆疊方式能夠改善功耗，還有利于提升內(nèi)存容量以及帶寬。 (ChosunBiz)

收藏

閱315.96W

評(píng)論(0)

2026-02-13 12:10

【機(jī)構(gòu)：預(yù)計(jì)HBM4驗(yàn)證將于2026年第二季度完成】財(cái)聯(lián)社2月13日電，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新HBM產(chǎn)業(yè)研究，隨著AI基礎(chǔ)建設(shè)擴(kuò)張，對(duì)應(yīng)的GPU需求也不斷成長(zhǎng)，預(yù)期英偉達(dá)Rubin平臺(tái)量產(chǎn)后，將帶動(dòng)HBM4需求。目前三大存儲(chǔ)器原廠的HBM4驗(yàn)證程序已進(jìn)展至尾聲，預(yù)計(jì)將在2026年第二季陸續(xù)完成。其中，三星憑借最佳的產(chǎn)品穩(wěn)定性，預(yù)期將率先通過驗(yàn)證，SK海力士、美光隨后跟上，可望形成三大廠供應(yīng)英偉達(dá)HBM4的格局。

收藏

閱347.74W

評(píng)論(2)

2026-02-12 15:50

財(cái)聯(lián)社2月12日電，三星預(yù)計(jì)2026年HBM收入將增長(zhǎng)逾兩倍。

收藏

閱265.97W

評(píng)論(0)

2026-02-12 14:36

【三星電子股價(jià)收漲6.44% 創(chuàng)歷史新高】財(cái)聯(lián)社2月12日電，三星電子股價(jià)收盤上漲6.44%，創(chuàng)歷史新高。消息面上，三星電子已開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4，并向客戶進(jìn)行商業(yè)發(fā)貨。

收藏

閱277.67W

評(píng)論(2)

2026-02-12 14:05

【三星電子：已開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4 并向客戶進(jìn)行商業(yè)發(fā)貨】財(cái)聯(lián)社2月12日電，三星電子表示，已向客戶開始進(jìn)行“頂級(jí)性能”HBM4 的商業(yè)發(fā)貨，這是這家韓國(guó)芯片巨頭在銷售用于驅(qū)動(dòng)生成式人工智能所需的高端半導(dǎo)體的競(jìng)賽中取得的關(guān)鍵突破。

三星周四在一份聲明中表示，已開始大規(guī)模生產(chǎn)HBM4。HBM4E的樣品預(yù)計(jì)將于2026年下半年開始提供，而定制版HBM樣品將于2027年開始交付給客戶。聲明稱，與上一代產(chǎn)品相比，采用新型HMB4芯片的“單個(gè)堆棧總內(nèi)存帶寬提升了2.7倍”。三星執(zhí)行副總裁兼存儲(chǔ)器開發(fā)部門負(fù)責(zé)人Sang Joon Hwang表示：“三星未沿用傳統(tǒng)的成熟設(shè)計(jì)，而是大膽采用了最先進(jìn)的制程工藝”。

收藏

閱278.96W

評(píng)論(0)

2026-02-12 11:08 來自 TheElec

【退出英偉達(dá)HBM4供應(yīng)名單？美光否認(rèn)傳聞：已量產(chǎn)出貨】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》12日訊，此前有傳言稱美光可能被排除在英偉達(dá)的HBM4供應(yīng)商名單之外，美光首席財(cái)務(wù)官馬克·墨菲(Mark Murphy)回應(yīng)稱：“關(guān)于第六代高帶寬內(nèi)存(HBM4)有一些不準(zhǔn)確的報(bào)道，但美光已經(jīng)開始量產(chǎn)HBM4。”他強(qiáng)調(diào)，美光已經(jīng)開始向客戶交付HBM4，預(yù)計(jì)第一季度出貨量將大幅提升。 (TheElec)

收藏

閱297.34W

評(píng)論(1)

2026-02-12 08:59 來自韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

【SK海力士發(fā)表HBF與HBM混合架構(gòu) 性能提升高達(dá)2.69倍】《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》12日訊，SK海力士近日通過發(fā)表在IEEE（電氣與電子工程師協(xié)會(huì)）全球半導(dǎo)體大會(huì)上的論文，提出了一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)采用了HBM和HBF兩種技術(shù)，公司將8個(gè)HBM3E和8個(gè)HBF置于英偉達(dá)Blackwell旁進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，結(jié)果表明，與單獨(dú)使用HBM相比，這種配置可以將每瓦計(jì)算性能提升高達(dá)2.69倍。 (韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào))

收藏

閱266.9W

評(píng)論(0)

2026-02-11 14:50

【三星電子CTO：內(nèi)存強(qiáng)勁需求料持續(xù)到2027年 HBM4客戶反響良好】財(cái)聯(lián)社2月11日電，三星電子首席技術(shù)官表示，該公司預(yù)計(jì)，市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存芯片的強(qiáng)勁需求不僅將持續(xù)今年全年，而且還將持續(xù)到明年，因?yàn)槿斯ぶ悄芡苿?dòng)了強(qiáng)勁的需求。他還重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)，三星公司的HBM4芯片顯示出“良好的”制造良率，客戶對(duì)其性能表示非常滿意。據(jù)報(bào)道，三星計(jì)劃在本月晚些時(shí)候開始HBM4的大規(guī)模生產(chǎn)并將其交付給主要客戶。其HBM4芯片使用其1c工藝（第六代10納米級(jí)DRAM技術(shù)）制造DRAM單元芯片，同時(shí)使用4納米工藝制造基板芯片。基于這些技術(shù)，三星的HBM4芯片實(shí)現(xiàn)了高達(dá)每秒11.7Gbps的數(shù)據(jù)處理速度，超過了聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)規(guī)定的8Gbps標(biāo)準(zhǔn)。

收藏

閱279.78W

評(píng)論(2)

2026-02-11 11:55

【中芯國(guó)際趙海軍：HBM缺貨將持續(xù) 但手機(jī)、電腦下行趨勢(shì)三季度或反轉(zhuǎn)】財(cái)聯(lián)社2月11日電，中芯國(guó)際聯(lián)合首席執(zhí)行官趙海軍在業(yè)績(jī)交流會(huì)上表示，AI需求在一定時(shí)間內(nèi)“永遠(yuǎn)無法滿足”。“現(xiàn)在大家算力都不夠，因?yàn)閷?duì)AI有宏大設(shè)想，巴不得在一兩年內(nèi)建成未來十年需要的數(shù)據(jù)中心，至于建起來之后要干嘛還沒完全想清楚?！壁w海軍判斷，在這種情況下，業(yè)界還在重投資存儲(chǔ)技術(shù)，HBM缺貨在幾年內(nèi)應(yīng)該會(huì)持續(xù)。不過，未來制約HBM產(chǎn)能的將不是前端的晶圓生產(chǎn)環(huán)節(jié)，而是后端的測(cè)試等環(huán)節(jié)。趙海軍預(yù)測(cè)，接下來存儲(chǔ)器產(chǎn)能會(huì)增加，廠商買設(shè)備快的能4個(gè)月拿到，慢的9個(gè)月也能拿到，9個(gè)月后就能看到晶圓前端生產(chǎn)產(chǎn)能增加。這些產(chǎn)能不能直接用來做AI數(shù)據(jù)中心所需的HBM，而是會(huì)馬上投放到消費(fèi)類產(chǎn)品上。這時(shí)中間通道商手里的囤貨會(huì)釋放出來，給到手機(jī)、電腦產(chǎn)品，或?qū)⒃诮衲甑谌径葞硐M(fèi)類產(chǎn)品包括中低端手機(jī)市場(chǎng)的反轉(zhuǎn)。

收藏

閱291.08W

評(píng)論(0)

2026-02-09 20:16 來自財(cái)聯(lián)社劉蕊

全線新高！Counterpoint：全球存儲(chǔ)芯片Q1環(huán)比飆升90%

①2026年第一季度，全球內(nèi)存價(jià)格環(huán)比飆升了80%至90%，創(chuàng)下前所未有的漲幅紀(jì)錄；
③內(nèi)存芯片盈利能力預(yù)計(jì)將達(dá)到前所未有的水平，DRAM的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率在2025年第四季度已達(dá)到60%左右。

收藏

閱48.14W

評(píng)論(2)

2026-02-09 17:17

財(cái)聯(lián)社2月9日電，美光科技盤前跌1.6%。消息面上，英偉達(dá)或?qū)衙拦釮BM4排除在Rubin架構(gòu)的首年量產(chǎn)之外。

收藏

閱251.77W

評(píng)論(1)

2026-02-09 14:59

【機(jī)構(gòu)：一季度內(nèi)存價(jià)格較2025年第四季度飆升高達(dá)90%】財(cái)聯(lián)社2月9日電，據(jù)Counterpoint《2月內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》顯示，截至2026年第一季度，內(nèi)存價(jià)格環(huán)比上漲80%–90%，迎來前所未有的創(chuàng)紀(jì)錄暴漲。本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器DRAM價(jià)格大幅攀升。此外，第四季度表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)的NAND閃存，在第一季度也同步上漲80%–90%。疊加部分HBM3e產(chǎn)品價(jià)格走高，市場(chǎng)正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢(shì)。以服務(wù)器級(jí)內(nèi)存為例，64GB RDIMM合約價(jià)已從第四季度的450美元，飆升至第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關(guān)口。

收藏

閱271.92W

評(píng)論(0)

加載更多

熱門話題推薦

關(guān)于我們|網(wǎng)站聲明|聯(lián)系方式|用戶反饋|網(wǎng)站地圖|友情鏈接|舉報(bào)電話：021-54679377轉(zhuǎn)617舉報(bào)郵箱：editor@cls.cn

財(cái)聯(lián)社舉報(bào)

財(cái)聯(lián)社 ?2018-2026上海界面財(cái)聯(lián)社科技股份有限公司版權(quán)所有滬ICP備14040942號(hào)-9 滬公網(wǎng)安備31010402006047號(hào)互聯(lián)網(wǎng)新聞信息服務(wù)許可證：31120170007滬金信備 [2021] 2號(hào)

<button id="oqss6"></button>

<button id="oqss6"></button>