財聯(lián)社10月22日電，中信建投研報稱，隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更先進(jìn)制程邁進(jìn)，芯片尺寸縮小而功率激增，“熱點”問題突出，芯片表面溫度過高會導(dǎo)致安全性和可靠性下降，催生對高效散熱方案的需求。金剛石是理想散熱材料，熱導(dǎo)率可達(dá)2000W/m?K，是銅、銀的4—5倍，也是硅、碳化硅等半導(dǎo)體材料的數(shù)倍至數(shù)十倍，且兼具高帶隙、極高電流承載能力、優(yōu)異機(jī)械強(qiáng)度與抗輻射性，在高功率密度、高溫高壓等嚴(yán)苛場景中優(yōu)勢顯著。其應(yīng)用形式包括金剛石襯底、熱沉片及帶微通道的金剛石結(jié)構(gòu)，可適配半導(dǎo)體器件、服務(wù)器GPU等核心散熱需求。在制備上，化學(xué)氣相沉積法（CVD）為主流，可生產(chǎn)單晶、多晶、納米金剛石，國內(nèi)外企業(yè)已開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。伴隨算力需求提升與第三代半導(dǎo)體發(fā)展，未來金剛石在高端散熱市場空間廣闊。